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金融界2024年12月12日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“半导体设备的制作办法”的专利，公开号 CN 119108334 A，请求日期为2023年8月。
专利摘要显现，一种半导体设备的制作办法包括以下过程。在基材的区域上履行阱植入工艺。在该基材的该区域进行源极/漏极植入工艺。在该基材的该区域上界说自动区域。在该自动区域中构成多个浅沟槽阻隔结构。对该基材的该区域进行退火工艺。此制作办法在界定自动区域或构成浅沟槽阻隔结构之前在基材的广大区域上履行掺杂剂植入工艺，有助于削减随机掺杂剂动摇。
